Circuito Integrado 2ED020I12-FI Gate Driver Half-Bridge SMD

Código: 26225 Marca: Tecnologias Infineon

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2ED020I12-FI Infineon Technologies – Driver de Gate IGBT/MOSFET Half-Bridge 1200V SOP-18 SMD

O 2ED020I12-FI da Infineon Technologies é um driver de gate isolado para IGBT e MOSFET, projetado para aplicações em topologia half-bridge com tensão de bloqueio de até 1200V. Desenvolvido para sistemas de potência de média e alta tensão, oferece alta imunidade a ruído, confiabilidade industrial e excelente desempenho de comutação.

Este CI integra driver high-side e low-side em um único encapsulamento SOP-18 SMD, permitindo acionamento eficiente em inversores, fontes chaveadas, UPS, acionamentos de motor e sistemas industriais.

Conta com proteção integrada contra subtensão (UVLO), alta robustez contra transientes (CMTI elevado) e arquitetura otimizada para aplicações com IGBTs de 600V e 1200V.

🔧 Especificações Técnicas

Fabricante: Infineon Technologies
Modelo: 2ED020I12-FI
Tipo: Driver de Gate Isolado Half-Bridge
Aplicação: IGBT / MOSFET
Tensão de Bloqueio: até 1200V
Configuração: High-Side + Low-Side
Proteção UVLO: Sim
Alta imunidade a ruído (CMTI elevado)
Encapsulamento: SOP-18
Montagem: SMD / SMT
Aplicação Industrial

⚙️ Principais Aplicações

Inversores de frequência
Acionamento de motores industriais
Fontes chaveadas (SMPS)
UPS e sistemas de energia
Conversores DC-DC e AC-DC
Equipamentos de automação industrial

📌 Diferenciais do 2ED020I12-FI

✔ Driver high-side e low-side integrado
✔ Suporte para IGBTs até 1200V
✔ Proteção contra subtensão (UVLO)
✔ Alta imunidade a ruído (ideal para ambientes industriais)
✔ Qualidade e confiabilidade Infineon

📄 Datasheet Oficial Infineon

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-2ED020I12-FI-DS-v01_02-EN.pdf

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