Lista de Desejos

FDN358P MOSFET P-Channel 30V 1,5A Baixo RDS(on) SOT-23

35% de desconto

Código: 11081 Marca: Onsemi

~~R$ 3,00~~ R$ 1,95

Qtde: Comprar Agora Estoque: Disponível

📦 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor FDN358P é um MOSFET de potência de canal P (P-Channel) da onsemi, desenvolvido com tecnologia PowerTrench® Logic Level para aplicações de chaveamento e gerenciamento de energia. O componente apresenta tensão Drain-Source (VDS) de -30 V e corrente contínua de dreno de até -1,5 A.

O FDN358P possui baixa resistência de condução (RDS(on)), com valor máximo de 125 mΩ a VGS = -10 V e 200 mΩ a VGS = -4,5 V. A baixa carga de gate, de aproximadamente 4 nC típica, contribui para um chaveamento eficiente e adequado para aplicações de baixa potência.

Por utilizar tecnologia de nível lógico, o FDN358P pode ser acionado com tensões de gate compatíveis com circuitos digitais, sendo indicado para aplicações como chaveamento de cargas, gerenciamento de energia, carregamento de baterias e conversores DC/DC.

Com encapsulamento SOT-23/SuperSOT-23 de 3 pinos e montagem SMD (Surface Mount), o FDN358P oferece uma solução compacta para placas de circuito impresso e projetos que necessitam de um MOSFET canal P para controle de cargas e alimentação.

🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Produto: MOSFET de Potência
Part Number: FDN358P
Marca: Onsemi
Série: PowerTrench®
Tipo: MOSFET P-Channel
Tecnologia: Logic Level / PowerTrench®
Tensão Drain-Source (VDS): -30 V
Corrente contínua de dreno (ID): -1,5 A
Corrente de dreno pulsada: -5 A
RDS(on) máximo: 125 mΩ @ VGS = -10 V
RDS(on) máximo: 200 mΩ @ VGS = -4,5 V
Carga de Gate: 4 nC típica
Tensão Gate-Source máxima: ±20 V
Potência de dissipação: 500 mW
Temperatura de junção: -55 °C a +150 °C
Encapsulamento: SOT-23 / SuperSOT-23
Número de pinos: 3
Montagem: SMD / Surface Mount
Aplicação: Chaveamento e gerenciamento de energia

As especificações são baseadas no datasheet oficial do FDN358P da onsemi.

⚙️ APLICAÇÕES

O FDN358P pode ser utilizado em diversas aplicações de eletrônica e gerenciamento de energia, como:

Chaveamento de cargas;
Gerenciamento de energia;
Circuitos de alimentação;
Carregadores de bateria;
Conversores DC/DC;
Sistemas alimentados por bateria;
Equipamentos portáteis;
Circuitos de proteção e controle;
Controle de alimentação de módulos;
Sistemas embarcados;
Circuitos digitais para acionamento de cargas;
Projetos de baixa potência.

A onsemi destaca o FDN358P para load switching, power management, battery charging e DC/DC conversion, especialmente em equipamentos portáteis.

📄 DATASHEET

Datasheet oficial – FDN358P – Onsemi:
Acessar Datasheet FDN358P (PDF)

🔎 PALAVRAS-CHAVE SEO

FDN358P, FDN 358P, FDN358P MOSFET, FDN358P P-Channel, FDN358P P Channel, FDN358P SOT-23, FDN358P SMD, FDN358P

FDN358P FDN358P FDN358P FDN358P FDN358P FDN358P FDN358P FDN358P FDN358P FDN358P FDN358P FDN358P