O Transistor FDN358P é um MOSFET de potência de canal P (P-Channel) da onsemi, desenvolvido com tecnologia PowerTrench® Logic Level para aplicações de chaveamento e gerenciamento de energia. O componente apresenta tensão Drain-Source (VDS) de -30 V e corrente contínua de dreno de até -1,5 A.
O FDN358P possui baixa resistência de condução (RDS(on)), com valor máximo de 125 mΩ a VGS = -10 V e 200 mΩ a VGS = -4,5 V. A baixa carga de gate, de aproximadamente 4 nC típica, contribui para um chaveamento eficiente e adequado para aplicações de baixa potência.
Por utilizar tecnologia de nível lógico, o FDN358P pode ser acionado com tensões de gate compatíveis com circuitos digitais, sendo indicado para aplicações como chaveamento de cargas, gerenciamento de energia, carregamento de baterias e conversores DC/DC.
Com encapsulamento SOT-23/SuperSOT-23 de 3 pinos e montagem SMD (Surface Mount), o FDN358P oferece uma solução compacta para placas de circuito impresso e projetos que necessitam de um MOSFET canal P para controle de cargas e alimentação.
As especificações são baseadas no datasheet oficial do FDN358P da onsemi.
O FDN358P pode ser utilizado em diversas aplicações de eletrônica e gerenciamento de energia, como:
A onsemi destaca o FDN358P para load switching, power management, battery charging e DC/DC conversion, especialmente em equipamentos portáteis.
Datasheet oficial – FDN358P – Onsemi:
Acessar Datasheet FDN358P (PDF)
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