O Circuito Integrado FDS6680A SOIC-8 (SMD) da onsemi é um MOSFET duplo de canal N (Dual N-Channel Power MOSFET) de alto desempenho, projetado para aplicações de gerenciamento de energia, conversores DC/DC, fontes chaveadas e circuitos de chaveamento de alta eficiência. Desenvolvido com tecnologia PowerTrench®, oferece baixa resistência de condução (RDS(on)), reduzindo perdas de potência e melhorando a eficiência energética do sistema.
O FDS6680A integra dois MOSFETs de canal N em um único encapsulamento SOIC-8 (SMD), proporcionando economia de espaço na placa de circuito impresso (PCB) e simplificando o desenvolvimento de projetos eletrônicos compactos. Sua alta capacidade de corrente e rápida velocidade de comutação o tornam ideal para aplicações em notebooks, placas-mãe, equipamentos industriais, fontes de alimentação, sistemas embarcados e dispositivos portáteis.
Fabricado pela onsemi, referência mundial em semicondutores de potência, o FDS6680A oferece excelente confiabilidade, desempenho térmico e longa vida útil, atendendo aos mais elevados padrões de qualidade para aplicações profissionais e industriais.
✔ MOSFET duplo de canal N em um único encapsulamento
✔ Tecnologia PowerTrench® de alta eficiência
✔ Baixo RDS(on) para menor dissipação de potência
✔ Alta velocidade de comutação
✔ Excelente desempenho térmico
✔ Ideal para conversores DC/DC e fontes chaveadas
✔ Encapsulamento SOIC-8 compacto para montagem SMD
✔ Produto original onsemi
FDS6680A – Datasheet Oficial onsemi
https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fds6680a-d.pdf
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