CI SRAM 256K IS61C256AH-20N DIP-28 20ns Memória Estática ISSI

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CI IS61C256AH-20N DIP-28 – Memória SRAM 256Kbit (32K x 8) 20ns – ISSI

O IS61C256AH-20N da ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) é uma memória SRAM estática de alta velocidade, com capacidade de 256Kbit (32K x 8 bits), ideal para aplicações digitais que exigem acesso rápido e baixo consumo de energia.

Com tempo de acesso de 20ns, este circuito integrado garante excelente desempenho em sistemas embarcados, microcontrolados e equipamentos eletrônicos que necessitam de armazenamento temporário rápido e confiável. Seu encapsulamento DIP-28 (PTH) facilita a integração em protótipos e placas de circuito impresso.


🔧 Características Técnicas:

  • Modelo: IS61C256AH-20N
  • Fabricante: ISSI
  • Tipo: Memória SRAM (Static RAM)
  • Capacidade: 256Kbit (32K x 8 bits)
  • Tempo de acesso: 20ns
  • Interface: Paralela
  • Tensão de operação: 5V (típico)
  • Encapsulamento: DIP-28 (PTH)
  • Baixo consumo de energia
  • Alta confiabilidade e estabilidade

⚙️ Aplicações:

  • Sistemas embarcados
  • Microcontroladores e microprocessadores
  • Buffers de dados
  • Equipamentos industriais
  • Projetos eletrônicos digitais
  • Desenvolvimento e manutenção de placas

✅ Benefícios:

  • Alta velocidade de acesso (20ns)
  • Armazenamento volátil rápido
  • Fácil integração em projetos (DIP)
  • Baixo consumo para aplicações eficientes
  • Ideal para aplicações digitais críticas

📄 Datasheet Oficial:

Para especificações completas e diagramas:

🔗 https://www.issi.com/WW/pdf/61C256AH.pdf


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