O K4B2G1646C-HCHA da Samsung é uma memória DRAM DDR2 de 2Gb em encapsulamento 96-FBGA SMD (6x16), ideal para aplicações de alta performance em sistemas embarcados, eletrônicos de consumo e módulos de memória. Este componente garante alta velocidade de operação, baixa latência e confiabilidade superior em projetos que exigem eficiência e estabilidade.
Projetado para montagem superficial (SMD), o K4B2G1646C-HCHA oferece integração compacta, fácil soldagem e excelente dissipação térmica, permitindo sua utilização em placas-mãe, módulos de memória RAM, servidores, notebooks e sistemas industriais.
Fabricado pela Samsung, referência global em memórias de alta performance, este CI proporciona compatibilidade com padrões DDR2, desempenho consistente e longa vida útil, sendo ideal para engenheiros, técnicos e fabricantes que buscam qualidade premium em DRAM.
Tipo: Memória DRAM DDR2
Capacidade: 2Gb (Gigabit)
Encapsulamento: 96-FBGA SMD (6x16)
Interface: DDR2 de alta velocidade
Baixa latência e alto desempenho
Ideal para montagem superficial em placas compactas
Confiabilidade e durabilidade Samsung
Módulos de memória RAM e placas-mãe
Sistemas embarcados e dispositivos de consumo
Servidores e notebooks
Equipamentos industriais que exigem alta performance
Eletrônica de alta velocidade e projetos de engenharia
Marca: Samsung
Modelo: K4B2G1646C-HCHA
Encapsulamento: 96-FBGA SMD (6x16)
Datasheet (folha de dados):
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