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Memória SRAM CI SMD K6T1008C2E-GB70 Encapsulamento TSOP-32

Código: 0000000140102 Marca: Samsung

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O Circuito Integrado K6T1008C2E-GB70 da Samsung é uma memória SRAM estática de 1Mbit (128K x 8) de alto desempenho, desenvolvida para aplicações que exigem acesso rápido a dados, baixo consumo de energia e alta confiabilidade. Com encapsulamento TSOP-32 SMD, este CI é ideal para projetos de eletrônica embarcada, sistemas industriais, equipamentos de automação, telecomunicações e desenvolvimento de placas eletrônicas.

O K6T1008C2E-GB70 oferece operação estável, excelente velocidade de acesso e compatibilidade com diversos sistemas digitais, sendo amplamente utilizado em projetos que demandam memória volátil de alta performance. Fabricado pela Samsung, referência mundial em semicondutores, este componente garante qualidade, durabilidade e precisão elétrica para aplicações profissionais e educacionais.

Perfeito para técnicos, engenheiros e hobbystas, este circuito integrado é indicado para reposição, manutenção e desenvolvimento de circuitos eletrônicos, proporcionando integração eficiente em montagens SMD.

Principais características técnicas:

Modelo: K6T1008C2E-GB70
Tipo: Memória SRAM estática
Capacidade: 1Mbit (128K x 8)
Encapsulamento: TSOP-32 SMD
Alta velocidade de acesso
Baixo consumo de energia
Marca: Samsung

Datasheet (Ficha técnica):
Clique aqui para abrir o link do Datasheet

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