Circuito Integrado KF160412D-BC60 RAM Dinâmica DRAM SOJ-24 SMD Samsung

Código: 1710 Marca: Samsung

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CI KF160412D-BC60 – Memória DRAM SMD SOJ-24 Alta Velocidade | Samsung Electronics

O KF160412D-BC60 é um circuito integrado de memória do tipo DRAM (Dynamic Random Access Memory), desenvolvido pela Samsung Electronics, projetado para aplicações que exigem armazenamento temporário rápido e eficiente de dados.

Com encapsulamento SMD SOJ-24, este componente é ideal para montagem em superfície, proporcionando compactação do projeto eletrônico, melhor dissipação térmica e excelente desempenho em sistemas digitais.

🔧 Principais Características Técnicas:

Tipo: DRAM (Memória RAM Dinâmica)
Alta velocidade de operação
Encapsulamento: SOJ-24 (SMD – montagem em superfície)
Armazenamento volátil de dados
Baixo consumo e boa eficiência energética
Interface paralela para integração com sistemas digitais
Alta confiabilidade para aplicações contínuas

⚙️ Aplicações:

Placas eletrônicas e sistemas embarcados
Equipamentos de informática e processamento de dados
Sistemas industriais e automação
Telecomunicações
Buffers e armazenamento temporário de dados
Projetos de manutenção e reposição eletrônica

💡 Benefícios:

O KF160412D-BC60 é uma excelente escolha para projetos que demandam memória rápida e confiável, garantindo eficiência no processamento e armazenamento temporário de informações em sistemas eletrônicos modernos.

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