O Circuito Integrado KFG1G16U2D-HIB6 da Samsung é um módulo de memória NAND Flash de alta performance, desenvolvido para aplicações que exigem armazenamento confiável, baixo consumo de energia e excelente desempenho.
Com tecnologia SMD (Surface Mount Device) e encapsulamento BGA (Ball Grid Array), este componente é ideal para equipamentos compactos e processos automatizados de montagem eletrônica.
Projetado para uso em dispositivos móveis, sistemas embarcados, tablets, smartphones, câmeras digitais, SSDs e eletrônicos portáteis, o KFG1G16U2D-HIB6 oferece transferência rápida de dados, estabilidade operacional e longa durabilidade — características que consolidam a confiabilidade dos componentes de memória da Samsung.
Marca: Samsung
Modelo: KFG1G16U2D-HIB6
Tipo: NAND Flash Memory
Encapsulamento: BGA (Ball Grid Array)
Montagem: SMD (Surface Mount Device)
Capacidade: 1Gbit (128MB)
Tensão de operação: 2.7V a 3.6V (típico)
Alta velocidade de leitura e gravação
Baixo consumo de energia e alta confiabilidade
Smartphones e tablets
Câmeras digitais e dispositivos de armazenamento
Sistemas embarcados e industriais
Equipamentos portáteis e IoT
Reparo e substituição em placas eletrônicas
Original Samsung, com qualidade e durabilidade garantidas
Ideal para reposição, manutenção e desenvolvimento eletrônico
Compatível com montagem automatizada (BGA SMD)
Desempenho estável e confiável em ambientes exigentes
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