* Este prazo de entrega está considerando a disponibilidade do produto + prazo de entrega.
📦 DESCRIÇÃO DO PRODUTO
O Circuito Integrado M5M5256BFP-10L SOIC-28 (SMD) da Toshiba é uma memória SRAM (Static Random Access Memory) de alta velocidade, desenvolvida para aplicações que exigem acesso rápido, baixo consumo de energia e elevada confiabilidade. Com organização de 32K x 8 bits (256 Kbit), é amplamente utilizada em sistemas embarcados, equipamentos industriais, instrumentação eletrônica, telecomunicações e dispositivos microprocessados.
Fabricado com tecnologia CMOS, o M5M5256BFP-10L oferece excelente desempenho aliado ao baixo consumo de corrente, tornando-se ideal para aplicações que demandam armazenamento temporário de dados com acesso instantâneo. Seu tempo de acesso de apenas 100 ns proporciona alta velocidade de leitura e escrita, atendendo projetos que exigem respostas rápidas e operação contínua.
O encapsulamento SOIC-28 (SMD) permite montagem compacta em placas de circuito impresso, sendo compatível com equipamentos modernos e projetos de alta densidade eletrônica. Além disso, sua interface paralela facilita a integração com microcontroladores, microprocessadores, CLPs, sistemas de aquisição de dados e equipamentos industriais.
Produzido pela Toshiba, fabricante reconhecida mundialmente pela qualidade de seus semicondutores, o M5M5256BFP-10L oferece excelente estabilidade, longa vida útil e alta confiabilidade para aplicações profissionais e industriais.
🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS
Marca: Toshiba
Modelo: M5M5256BFP-10L
Categoria: Memória SRAM Estática
Tecnologia: CMOS
Capacidade: 256 Kbit
Organização da Memória: 32K x 8 bits
Tipo de Memória: SRAM (Static RAM)
Tempo de Acesso: 100 ns
Tensão de Alimentação: 5 V
Interface: Paralela
Baixo Consumo de Energia
Encapsulamento: SOIC-28
Montagem: SMD (Surface Mount Device)
Temperatura de Operação: Conforme especificação do fabricante
Conformidade: RoHS (dependendo do lote de fabricação)