Transistor MOSFET MDU1516 30V 47,6A QFN-8 SMD

Código: 12286 Marca:
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🔌 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Circuito Integrado MDU1516 QFN-8 (SMD), da onsemi, é um MOSFET de potência N-Channel desenvolvido para aplicações de chaveamento e conversão de energia. O componente utiliza tecnologia Trench MOSFET, proporcionando baixa resistência de condução e alta capacidade de corrente em um encapsulamento compacto.

O MDU1516 possui tensão máxima Dreno-Fonte de 30 V, corrente contínua de dreno de até 47,6 A quando montado sob as condições especificadas e RDS(on) inferior a 9 mΩ com VGS = 10 V. Também apresenta RDS(on) inferior a 14 mΩ com VGS = 4,5 V, sendo adequado para aplicações que exigem baixa perda de condução.

Seu encapsulamento compacto PowerDFN 5 × 6 mm, com 8 terminais, permite montagem SMD/SMT, contribuindo para redução de espaço na placa e boa performance térmica. O componente é indicado principalmente para conversores DC/DC, fontes de alimentação, circuitos de gerenciamento de energia e aplicações gerais de chaveamento.


🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

  • Produto: MOSFET de Potência
  • Marca informada no cadastro: onsemi
  • Part Number: MDU1516
  • Tipo: MOSFET N-Channel
  • Tecnologia: Trench MOSFET
  • Tensão Dreno-Fonte (VDS): 30 V
  • Tensão Gate-Source (VGS): ±20 V
  • Corrente contínua de dreno (ID): 47,6 A a TC = 25°C
  • Corrente contínua de dreno a TC = 70°C: 38 A
  • Corrente pulsada de dreno (IDM): 100 A
  • RDS(on): < 9 mΩ a VGS = 10 V
  • RDS(on): < 14 mΩ a VGS = 4,5 V
  • Dissipação máxima de potência: 35,7 W a TC = 25°C
  • Energia de avalanche: 53 mJ
  • Temperatura de junção e armazenamento: -55°C a +150°C
  • Montagem: SMD / SMT
  • Encapsulamento: PowerDFN 5 × 6 mm / QFN-8
  • Número de terminais: 8
  • Aplicações: Conversores DC/DC, fontes de alimentação, chaveamento de potência e gerenciamento de energia.

📄 DATASHEET

MDU1516 – Single N-Channel Trench MOSFET 30 V / 47,6 A / 9 mΩ:

Datasheet MDU1516 – PDF


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