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Circuito Integrado Samsung S4B2G0846D-HYKO LPDDR2 2Gb SMD FBGA78

Código: 34845 Marca: Samsung

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Qtde: Comprar Disponibilidade: Imediata Estoque: 549 unidades

⚙️ Circuito Integrado Samsung S4B2G0846D-HYKO – Memória LPDDR2 SDRAM 2Gb BGA SMD

O Samsung S4B2G0846D-HYKO é um circuito integrado de memória LPDDR2 SDRAM (Low Power DDR2) com capacidade de 2 Gigabits (256M x 8 bits), desenvolvido para aplicações que exigem alto desempenho e baixo consumo de energia, como smartphones, tablets, dispositivos embarcados e eletrônicos portáteis.

Projetado pela Samsung Semiconductor, referência global em tecnologia de memória, o S4B2G0846D-HYKO utiliza encapsulamento BGA (Ball Grid Array) no formato SMD (Surface Mount Device), garantindo alta confiabilidade, estabilidade térmica e montagem precisa em processos automatizados.

🔍 Especificações Técnicas

Fabricante: Samsung Semiconductor
Código: S4B2G0846D-HYKO
Tipo de Memória: LPDDR2 SDRAM
Capacidade: 2Gb (256M x 8 bits)
Velocidade de Transferência: Até 1066 Mbps
Tensão de Operação: 1.2V (típica)
Interface: DDR (Double Data Rate) de baixa potência
Encapsulamento: BGA
Montagem: SMD (Surface Mount Device)
Temperatura de Operação: -40°C a +85°C (industrial)
Aplicações: Smartphones, tablets, sistemas embarcados, dispositivos móveis e eletrônicos de consumo

💡 Destaques

✅ Alta eficiência energética com baixo consumo
✅ Ideal para dispositivos móveis e portáteis
✅ Alta velocidade de transferência de dados
✅ Montagem compacta e confiável em BGA SMD
✅ Fabricado pela Samsung, líder mundial em semicondutores

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