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Memória SRAM TC55100CF-70L 128K × 8 70ns SMD

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Código: 16605 Marca: Toshiba

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Circuito Integrado TC551001CF-70L Memória SRAM 1Mbit SOP-32 SMD – Toshiba

O TC551001CF-70L da Toshiba é uma memória SRAM estática CMOS desenvolvida para armazenar dados temporários em sistemas eletrônicos e microprocessados. Com capacidade de 1 Mbit, organizada em 128K palavras de 8 bits, permite armazenar até 131.072 bytes de informação.

Por ser uma memória SRAM (Static Random Access Memory), não necessita de ciclos periódicos de atualização dos dados, diferentemente das memórias DRAM. Seu tempo de acesso de 70 ns favorece aplicações que exigem leitura e escrita rápidas, enquanto a tecnologia CMOS contribui para reduzir o consumo de energia.

O componente utiliza encapsulamento SOP-32 para montagem em superfície (SMD/SMT), sendo adequado para placas eletrônicas compactas, sistemas embarcados, equipamentos industriais e manutenção de circuitos que utilizam memória SRAM paralela. Para substituição, é importante verificar a organização da memória, a pinagem e os requisitos de alimentação do equipamento.

📋 ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS

Produto: Memória SRAM estática CMOS
Fabricante: Toshiba
Código de referência encontrado: TC551001CF-70L
Capacidade: 1 Mbit (1.048.576 bits)
Organização: 128K × 8 bits
Capacidade em bytes: 128 KB
Tempo de acesso: 70 ns
Tensão de alimentação nominal: 5 V
Tipo de memória: SRAM assíncrona
Encapsulamento: SOP-32
Número de pinos: 32
Tipo de montagem: SMD/SMT – montagem em superfície
Aplicação: Armazenamento temporário de dados em sistemas eletrônicos

⚙️ APLICAÇÕES

Sistemas microprocessados
Armazenamento temporário de dados
Sistemas embarcados
Equipamentos industriais
Placas eletrônicas com memória SRAM paralela
Circuitos de leitura e escrita de dados
Manutenção e reparo de equipamentos eletrônicos

📄 DATASHEET

Fabricante: Toshiba

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