O CIGT252010LM2R2SNE da Samsung Electro-Mechanics é um indutor de potência SMD de 2,2µH, desenvolvido para aplicações que exigem alta eficiência, excelente capacidade de corrente e dimensões compactas. Com corrente nominal de até 2,1A, este componente é ideal para circuitos de gerenciamento de energia, conversores DC-DC, reguladores chaveados e dispositivos eletrônicos de alta densidade.
Fabricado com tecnologia avançada de blindagem magnética, o indutor oferece baixa interferência eletromagnética (EMI), alta estabilidade elétrica e excelente desempenho em aplicações de alta frequência. Seu encapsulamento compacto 0806 (2520 Métrico) permite utilização em equipamentos modernos onde o espaço na placa é um fator crítico.
O CIGT252010LM2R2SNE é amplamente utilizado em dispositivos móveis, equipamentos industriais, módulos IoT, sistemas embarcados, notebooks, placas eletrônicas e circuitos de alimentação de alta eficiência.
✅ Fabricante: Samsung Electro-Mechanics
✅ Modelo: CIGT252010LM2R2SNE
✅ Tipo: Indutor de Potência Blindado
✅ Indutância: 2,2µH
✅ Tolerância: ±20%
✅ Corrente Nominal: 2100mA (2,1A)
✅ Encapsulamento: 0806 (2520 Métrico)
✅ Tecnologia: SMD (Montagem em Superfície)
✅ Baixa resistência DC (DCR)
✅ Alta eficiência energética
✅ Blindagem magnética integrada
✅ Excelente desempenho em altas frequências
✅ Redução de interferências EMI
🔹 Conversores DC-DC
🔹 Reguladores Buck e Boost
🔹 Fontes chaveadas (SMPS)
🔹 Gerenciamento de energia (PMIC)
🔹 Equipamentos industriais
🔹 Sistemas embarcados
🔹 Dispositivos IoT
🔹 Smartphones e tablets
🔹 Notebooks e ultrabooks
🔹 Equipamentos de telecomunicações
🔹 Circuitos eletrônicos de alta densidade
✔️ Alta capacidade de corrente de até 2,1A
✔️ Baixa perda de potência
✔️ Excelente estabilidade elétrica
✔️ Blindagem magnética para redução de ruídos
✔️ Encapsulamento compacto 0806
✔️ Ideal para conversores DC-DC modernos
✔️ Alta confiabilidade da Samsung
✔️ Excelente desempenho em aplicações de alta frequência
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