Transistor 2SD2396 NPN 60V 3A TO-220F PTH (D2396) – Renesas Electronics Corporation
O 2SD2396 (D2396) é um transistor bipolar NPN de potência, desenvolvido para aplicações de baixa frequência e amplificação de potência. O componente possui tensão coletor-emissor de até 60V, corrente contínua de coletor de até 3A e encapsulamento TO-220F/TO-220FN, adequado para montagem PTH (Through-Hole).
📋 ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS
• Fabricante informado: Renesas Electronics Corporation
• Modelo: 2SD2396 / D2396
• Tipo: Transistor Bipolar (BJT)
• Polaridade: NPN
• Tensão coletor-emissor (VCEO): 60V
• Tensão coletor-base (VCBO): 80V
• Tensão emissor-base (VEBO): 6V
• Corrente de coletor (IC): 3A
• Corrente de coletor de pulso (ICP): 6A
• Ganho de corrente DC (hFE): 400 a 2000
• Dissipação de potência: Até 30W (TC = 25°C)
• Encapsulamento: TO-220F / TO-220FN
• Montagem: PTH / Through-Hole
• Temperatura de junção: Até 150°C
⚡ CARACTERÍSTICAS
O 2SD2396 apresenta alto ganho de corrente (hFE) e baixa tensão de saturação coletor-emissor, características que o tornam adequado para aplicações de amplificação e acionamento de cargas.
De acordo com a documentação da ROHM, o componente apresenta ganho de corrente DC tipicamente elevado e VCE(sat) típico de 0,3V nas condições especificadas. O encapsulamento TO-220FN também possui aletas moldadas, facilitando o isolamento elétrico em determinadas aplicações com dissipador.
🔧 APLICAÇÕES
• Amplificadores de potência
• Amplificadores de baixa frequência
• Circuitos de áudio
• Circuitos de chaveamento
• Circuitos de potência
• Controle de cargas
• Fontes de alimentação
• Equipamentos eletrônicos
📄 DATASHEET
Datasheet 2SD2396 – ROHM Semiconductor
🔎 PALAVRAS-CHAVE
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