MOSFET 2SK2800 K2800 Canal N 60V 40A TO-220 PTH

Código: 12724 Marca:
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📋 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor MOSFET 2SK2800 TO-220 PTH (K2800), da ST, é um MOSFET de potência canal N, desenvolvido para aplicações de chaveamento rápido e controle de potência.

O componente possui tensão máxima Dreno-Fonte de 60 V e corrente de dreno de até 40 A, apresentando baixa resistência de condução, com RDS(on) máximo de 20 mΩ a VGS = 10 V. Também possui característica de acionamento com 4 V, podendo ser utilizado com fontes de controle de 5 V.

Seu encapsulamento TO-220AB, com montagem PTH (Through-Hole), facilita a instalação em placas eletrônicas e permite a utilização de dissipador de calor em aplicações que exigem maior dissipação térmica.


🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

  • Produto: Transistor MOSFET de Potência
  • Marca: ST
  • Modelo: 2SK2800
  • Código: K2800
  • Tipo: MOSFET N-Channel
  • Tensão Dreno-Fonte (VDS): 60 V
  • Corrente de Dreno (ID): 40 A
  • Corrente de Dreno Pulsada: 160 A
  • RDS(on): até 20 mΩ @ VGS = 10 V
  • RDS(on): até 40 mΩ @ VGS = 4,5 V
  • RDS(on) típico: 15 mΩ @ VGS = 10 V
  • Tensão Gate-Source: ±20 V
  • Dissipação de potência: 50 W
  • Temperatura de junção: até +150 °C
  • Número de canais: 1
  • Encapsulamento: TO-220AB
  • Número de pinos: 3
  • Montagem: PTH / Through-Hole
  • Pinagem: 1 – Gate / 2 – Drain / 3 – Source

⚙️ APLICAÇÕES

  • Fontes de alimentação chaveadas
  • Conversores DC-DC
  • Circuitos de chaveamento rápido
  • Controle de motores
  • Acionamento de cargas
  • Conversores de potência
  • Circuitos de controle de potência
  • Equipamentos eletrônicos de potência

O fabricante especifica o 2SK2800 para chaveamento de potência em alta velocidade, destacando baixa resistência de condução, baixo consumo de acionamento e possibilidade de acionamento do gate com 4 V.


📄 DATASHEET

Datasheet oficial 2SK2800 – Renesas:
Datasheet 2SK2800 – Renesas


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