O AP6679GI da Advanced Power Electronics é um MOSFET de potência de canal P, desenvolvido para aplicações de chaveamento eletrônico e controle de potência em circuitos de alimentação.
O componente apresenta baixa resistência de condução e baixa carga de gate, características que favorecem a eficiência e o controle do chaveamento em projetos eletrônicos compatíveis.
Com tensão dreno-fonte de −30 V e corrente contínua de até −48 A sob condições específicas de temperatura e acionamento, o AP6679GI é indicado para aplicações de potência que exigem comutação controlada.
Seu encapsulamento TO-220CFM com isolamento é destinado à montagem PTH (Through-Hole), sendo utilizado em aplicações industriais e comerciais, além de manutenção e reposição em placas eletrônicas compatíveis.
Fabricante: Advanced Power Electronics Corp.
Modelo: AP6679GI
Código alternativo: 6679GI
Tipo: MOSFET de potência
Canal: P-Channel (canal P)
Modo de operação: Enhancement Mode
Tensão dreno-fonte (VDS): −30 V
Corrente contínua de dreno (ID): até −48 A a TC = 25 °C, com VGS = −10 V
Resistência de condução (RDS(on)): aproximadamente 9 mΩ, conforme condições do datasheet
Tensão gate-fonte (VGS): ±25 V
Dissipação de potência: 31,3 W a TC = 25 °C
Encapsulamento: TO-220CFM(I), com isolamento
Tipo de montagem: PTH (Through-Hole)
Circuitos de chaveamento de potência
Fontes de alimentação e conversores DC-DC compatíveis
Controle de cargas eletrônicas
Circuitos de gerenciamento de energia
Equipamentos eletrônicos industriais e comerciais
Manutenção e reparo de placas eletrônicas
1 × MOSFET AP6679GI TO-220CFM PTH
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