O Transistor Bipolar BJT FMMT493TA da Diodes Incorporated é um transistor NPN de média potência, desenvolvido para aplicações de chaveamento de alta velocidade e amplificação de sinais. Com capacidade para operar com tensão coletor-emissor (VCEO) de até 100V, corrente de coletor de até 1A e encapsulamento SOT-23 SMD, oferece excelente desempenho em projetos eletrônicos compactos e de alta confiabilidade.
Fabricado utilizando tecnologia de processo avançada, o FMMT493TA apresenta baixo nível de saturação (VCE(sat)), elevada capacidade de corrente e frequência de transição de aproximadamente 150MHz, tornando-o ideal para circuitos de controle, fontes de alimentação, drivers, automação industrial e equipamentos de telecomunicações.
Seu encapsulamento SOT-23 permite montagem automatizada em superfície (SMT), reduzindo espaço na placa de circuito impresso (PCB) e proporcionando maior eficiência na produção de equipamentos eletrônicos.
Datasheet Oficial – Diodes Incorporated FMMT493TA
https://www.diodes.com/assets/Datasheets/FMMT493.pdf
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