📦 DESCRIÇÃO DO PRODUTO
O Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT) IRG4PH50KD da Infineon Technologies é um componente eletrônico de potência de alto desempenho, desenvolvido para aplicações que exigem alta eficiência na comutação, baixa perda de condução e elevada confiabilidade. Este dispositivo combina as vantagens de um MOSFET no acionamento da porta com a capacidade de corrente de um transistor bipolar, tornando-se ideal para circuitos de potência e controle.
O IRG4PH50KD pertence à família de IGBTs Co-Pack, incorporando um diodo ultrarrápido (Ultrafast Soft Recovery Diode) integrado, reduzindo a quantidade de componentes externos e melhorando o desempenho em aplicações de chaveamento de alta frequência.
Seu encapsulamento TO-247 (PTH - Through Hole) oferece excelente dissipação térmica, permitindo operação segura em aplicações de média e alta potência, como inversores, acionamentos de motores, máquinas de solda, nobreaks (UPS), fontes chaveadas e sistemas de energia industrial.
🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS
- Marca: Infineon Technologies
- Modelo: IRG4PH50KD
- Tipo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Tecnologia: Co-Pack com Diodo Ultrafast Integrado
- Encapsulamento: TO-247 (PTH / Through Hole)
- Montagem: Furo Passante (THT)
- Tensão Coletor-Emissor (VCES): 1200V
- Corrente de Coletor (IC): 11A
- Diodo de Recuperação Ultrarrápida Integrado
- Baixa perda de condução
- Alta velocidade de chaveamento
- Excelente dissipação térmica
- Alta eficiência energética
- Alta confiabilidade
- Produto Original Infineon Technologies
⚙️ PRINCIPAIS APLICAÇÕES
- Inversores de frequência
- Controle de motores elétricos
- Máquinas de solda inversoras
- Fontes chaveadas (SMPS)
- Nobreaks (UPS)
- Conversores CC-CC (DC-DC)
- Conversores CC-CA (Inversores)
- Sistemas de energia solar
- Acionamentos industriais
- Equipamentos de automação
- Fontes industriais
- Equipamentos de alta potência
- Sistemas de correção de fator de potência (PFC)
- Equipamentos de telecomunicações
- Eletrônica de potência
⭐ PRINCIPAIS VANTAGENS
- Combina alta capacidade de corrente com acionamento simplificado por porta isolada.
- Diodo ultrarrápido integrado (Co-Pack), reduzindo componentes externos.
- Baixas perdas de comutação e alta eficiência.
- Excelente desempenho em aplicações de alta tensão.
- Encapsulamento TO-247 com ótima dissipação térmica.
- Elevada confiabilidade para aplicações industriais.
- Produto original Infineon Technologies.
📦 CONTEÚDO DA EMBALAGEM
- 01x Transistor IGBT IRG4PH50KD TO-247 (PTH) – Infineon Technologies
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