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Transistor MT3S113P RF NPN 7.7GHz SC-62-3 SMD

Código: 12640 Marca: Toshiba

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🔌 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor Bipolar RF MT3S113P SMD SC-62-3, da Toshiba, é um transistor bipolar NPN de radiofrequência, fabricado com tecnologia de Silício-Germânio (SiGe) e desenvolvido especialmente para aplicações de amplificação VHF e UHF de baixo ruído e baixa distorção.

O MT3S113P apresenta frequência de transição típica de 7,7 GHz, proporcionando desempenho adequado para circuitos de alta frequência. O dispositivo possui ganho de inserção típico de 10,5 dB a 1 GHz e figura de ruído típica de apenas 1,15 dB a 1 GHz, características importantes para aplicações de amplificação de sinais RF.

O transistor possui corrente máxima de coletor de 100 mA e tensão coletor-emissor máxima de 5,3 V (VCEO), sendo destinado principalmente a circuitos de sinais de RF e não a aplicações convencionais de potência.

Seu encapsulamento compacto PW-Mini, compatível com JEITA SC-62, possui 3 terminais e é destinado à montagem SMD/SMT, sendo adequado para placas eletrônicas compactas e circuitos de radiofrequência.

🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Produto: Transistor Bipolar RF
Marca: Toshiba
Part Number: MT3S113P
Tipo: Transistor Bipolar NPN
Tecnologia: Silício-Germânio (SiGe)
Aplicação: Amplificação VHF/UHF
Frequência de transição (fT): 7,7 GHz típica
Ganho de inserção a 500 MHz: 16 dB típico
Ganho de inserção a 1 GHz: 10,5 dB típico
Figura de ruído a 500 MHz: 0,95 dB típica
Figura de ruído a 1 GHz: 1,15 dB típica
Corrente máxima de coletor (IC): 100 mA
Tensão coletor-emissor (VCEO): 5,3 V
Tensão coletor-emissor (VCES): 13 V
Ganho de corrente DC (hFE): 200 a 400
Capacitância de saída (Cob): 1,65 pF típica
Encapsulamento: PW-Mini / SC-62
Número de terminais: 3
Montagem: SMD / SMT
Aplicações: Amplificadores RF, circuitos VHF, circuitos UHF, receptores, transmissores, módulos de comunicação e equipamentos de radiofrequência.

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