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MOSFET FQPF13N50C Canal N 500V 13A TO-220F – 13N50

Código: 13070 Marca: Onsemi

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🔌 Transistor MOSFET FQPF13N50C TO-220 PTH (13N50) – Onsemi

O FQPF13N50C é um MOSFET de potência canal N da Onsemi, pertencente à série QFET®, desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência que exigem alta tensão de operação.

O componente suporta tensão Dreno-Fonte de até 500 V e corrente contínua de até 13 A, apresentando RDS(on) máximo de 480 mΩ. Utiliza encapsulamento TO-220F, com montagem PTH/THT (Through Hole).

Sua tecnologia foi desenvolvida para proporcionar baixa resistência em condução, bom desempenho de chaveamento e capacidade de suportar pulsos de alta energia em condições de avalanche.

📋 ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS

Modelo: FQPF13N50C
Fabricante: Onsemi
Tipo: MOSFET de potência
Polaridade: Canal N (N-Channel)
Tensão Dreno-Fonte (VDS): 500 V
Corrente contínua (ID): 13 A @ 25 °C
RDS(on) máximo: 480 mΩ
Tensão Gate-Source: ±30 V
Carga total de Gate (Qg): 56 nC máx.
Dissipação de potência: 48 W
Temperatura de operação: -55 °C a +150 °C
Tecnologia: QFET®
Encapsulamento: TO-220F
Montagem: PTH / THT (Through Hole)
Configuração: Canal único

⚙️ CARACTERÍSTICAS

MOSFET de potência canal N
Tensão máxima de 500 V
Corrente contínua de até 13 A
Baixa resistência RDS(on)
Tecnologia QFET® da Onsemi
Baixa carga de Gate
Desempenho otimizado para chaveamento
Testado para operação em avalanche
Encapsulamento TO-220F
Montagem PTH/THT
Indicado para circuitos de potência e fontes chaveadas

🏭 APLICAÇÕES

O FQPF13N50C pode ser utilizado em:

Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
Conversores de potência
Circuitos de chaveamento
Correção ativa do fator de potência (PFC)
Reatores eletrônicos para lâmpadas
Conversores Half-Bridge
Inversores
Sistemas de controle de potência
Equipamentos eletrônicos de potência
Projetos de conversão de energia

📄 DATASHEET

Datasheet oficial – Onsemi:
📄 Baixar Datasheet – FQPF13N50C / FQP13N50C

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