O GT30F131 é um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) N-Channel de potência, desenvolvido para aplicações de chaveamento, controle e conversão de energia em circuitos eletrônicos de alta potência.
O código 30F131 corresponde à identificação/marking do componente. Referências técnicas do GT30F131 o classificam como IGBT de 360 V, com capacidade de corrente de coletor pulsada de até 200 A, sendo originalmente associado a aplicações de alta corrente, incluindo circuitos de acionamento de PDP (Plasma Display Panel), inversores e sistemas de conversão de potência.
As especificações elétricas de 360 V, 200 A pulsados, VCE(sat) de 1,9 V e 140 W são encontradas na documentação técnica histórica da Toshiba para o GT30F131.
O GT30F131 pode ser utilizado em aplicações de potência como:
A documentação da Toshiba associa a família de IGBTs a aplicações como drivers de motores, UPS, inversores, fontes e painéis de plasma, além de aplicações de chaveamento rápido.
Datasheet – GT30F131 / 30F131 – Discrete IGBT
🔗 Datasheet em PDF: https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/1314392/TOSHIBA/GT30F131.html
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