O Transistor IGBT IGB10N60T TO-263 (SMD), da Infineon, é um IGBT de potência de alta tensão, desenvolvido com tecnologia TRENCHSTOP™ e Fieldstop para aplicações de chaveamento em circuitos eletrônicos de potência.
O IGB10N60T possui tensão coletor-emissor máxima de 600 V e capacidade de corrente de coletor de até 24 A a 25 °C, limitada pelas condições térmicas do dispositivo. Para a classificação do componente, a Infineon especifica o IGBT como dispositivo de 600 V / 10 A.
O componente apresenta VCE(sat) típico de apenas 1,5 V, contribuindo para menores perdas de condução. A tecnologia TRENCHSTOP™ também proporciona baixas perdas de chaveamento, baixa carga de Gate, alta robustez e comportamento térmico estável.
O IGB10N60T foi desenvolvido para aplicações de inversores de frequência, incluindo equipamentos como máquinas de lavar, ventiladores, bombas e aspiradores, além de outros circuitos de conversão e chaveamento de potência.
Seu encapsulamento PG-TO263-3 / D²PAK (TO-263-3) é destinado à montagem SMD/SMT, permitindo montagem diretamente sobre a placa de circuito impresso e oferecendo boa capacidade de dissipação térmica.
IGB10N60T – TRENCHSTOP™ IGBT – Infineon Technologies
Datasheet oficial IGB10N60T – Infineon
IGB10N60T, IGB10N60T SMD, IGB10N60T TO-263, IGB10N60T D2PAK, transistor IGB10N60T, IGBT IGB10N60T, IGBT 600V, IGBT 10A
IGB10N60T SMD IGB10N60T SMDIGB10N60T SMDIGB10N60T SMD IGB10N60T SMD IGB10N60T SMD IGB10N60T SMD
Distribuidor , Importador e Exportador de Componentes Eletrônicos em atacado. Apenas embalagens lacradas de fábrica. Produtos originais.