12N60A4D – IGBT Alta Potência 23A 600V TO-247 PTH

Código: 13784 Marca:
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⚡ Transistor IGBT 12N60A4D 600V 23A TO-247 PTH – Fairchild

O 12N60A4D é um transistor IGBT de canal N (N-Channel) de alta tensão, fabricado pela Fairchild Semiconductor, desenvolvido para aplicações de chaveamento de potência em alta frequência. O dispositivo possui tensão de coletor-emissor de até 600 V e corrente de coletor de 23 A, oferecendo baixa perda de condução e desempenho adequado para fontes de alimentação chaveadas e outros circuitos de eletrônica de potência.

O componente conta ainda com diodo ultrarrápido (Hyperfast) em antiparalelo, característica especialmente útil em aplicações de chaveamento, contribuindo para o desempenho em circuitos de alta frequência. O modelo 12N60A4D possui encapsulamento TO-247 e montagem PTH (Through Hole).


⚙️ Características Técnicas

  • Fabricante: Fairchild Semiconductor
  • Part Number / Marking: 12N60A4D
  • Tipo: Transistor IGBT
  • Canal: N-Channel
  • Tensão Coletor-Emissor: 600 V
  • Corrente de Coletor: 23 A
  • Corrente de Coletor Pulsada: 96 A
  • Tensão Gate-Emitter: ±20 V contínua
  • Montagem: PTH / Through Hole
  • Encapsulamento: TO-247
  • Diodo: Antiparalelo Hyperfast
  • Aplicação principal: Chaveamento de alta frequência / SMPS
  • Operação: indicada para aplicações acima de 100 kHz, conforme condições especificadas no datasheet.

🔧 Aplicações

O 12N60A4D é indicado principalmente para circuitos que exigem chaveamento de alta tensão e alta frequência, como:

  • Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
  • Conversores de potência
  • Inversores
  • Circuitos de chaveamento de alta frequência
  • Eletrônica de potência
  • Fontes industriais
  • Conversores AC/DC
  • Aplicações com controle de motores

O dispositivo foi especificamente otimizado para fontes chaveadas de alta frequência, combinando baixa perda de condução com capacidade de chaveamento em alta tensão.


📄 Datasheet

🔗 Datasheet 12N60A4D – Fairchild Semiconductor:
Datasheet técnico 12N60A4D (PDF)


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