⚡ Transistor IGBT 30F126 GT30F126 330V 200A TO-220F Isolado PTH – Toshiba
O 30F126 / GT30F126 é um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de potência da Toshiba, desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência em circuitos eletrônicos. O componente possui tensão de até 330V, encapsulamento TO-220F isolado e montagem PTH (Through-Hole), oferecendo uma solução compacta para projetos que necessitam de um transistor de potência com gate isolado.
O GT30F126 é associado pela documentação técnica da Toshiba a aplicações em televisores de plasma (PDP-TV), incluindo circuitos de sustentação e recuperação de energia, sendo também utilizado como referência em aplicações de chaveamento de potência.
* A indicação de 200A aparece em referências comerciais do 30F126/GT30F126; para dimensionamento elétrico, recomenda-se considerar as condições de teste e os valores do datasheet correspondente ao componente.
O transistor IGBT 30F126 pode ser utilizado em aplicações que necessitam de chaveamento de potência, incluindo:
A documentação técnica da Toshiba relaciona a família GT30F12x a aplicações de PDP-TV, incluindo circuitos de sustain, recuperação de energia e separação.
O GT30F126 utiliza encapsulamento TO-220F, também identificado como encapsulamento isolado para montagem Through-Hole (PTH). Essa construção facilita a instalação em placas de circuito impresso e aplicações que utilizam dissipação térmica através do encapsulamento.
Datasheet 30F126 / GT30F126 – Toshiba:
Datasheet 30F126 – Toshiba
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