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G5N150UF IGBT Potência 1500V 5A Through Hole TO3PF

Código: 42049 Marca: Fairchild

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O G5N150UF da Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor) é um transistor IGBT de potência desenvolvido para aplicações de alta tensão e comutação eficiente, sendo ideal para circuitos que exigem robustez, confiabilidade e desempenho estável.

Com capacidade de até 1500V (1.5kV) e corrente de 5A, este IGBT é indicado para aplicações como inversores, fontes chaveadas, controle de motores e sistemas industriais de alta potência.

O G5N150UF combina as vantagens de MOSFET (alta velocidade de chaveamento) com a capacidade de condução de corrente dos transistores bipolares, oferecendo baixa perda de condução e excelente eficiência energética.

Seu encapsulamento TO-3PF (PTH - Through Hole) proporciona ótima dissipação térmica, facilitando a montagem em dissipadores e aumentando a confiabilidade em aplicações exigentes.

🔧 Especificações Técnicas:

Modelo: G5N150UF
Tipo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Tensão coletor-emissor (Vces): 1500V
Corrente (Ic): 5A
Alta eficiência de comutação
Baixa perda de condução
Encapsulamento: TO-3PF
Montagem: PTH (Through Hole)
Marca: Fairchild / ON Semiconductor

⚙️ Principais Benefícios:

Ideal para aplicações de alta tensão
Alta eficiência energética
Excelente desempenho térmico
Alta confiabilidade em uso contínuo
Combinação de velocidade e robustez

🔌 Aplicações:

Inversores de potência
Fontes chaveadas (SMPS)
Controle de motores
Equipamentos industriais
Sistemas de energia

📄 Datasheet (Ficha Técnica):

https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/g5n150uf-d.pdf

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