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GT30J121 IGBT Power Transistor 600V 30A TO-247 – Alta Eficiência

Código: 21308 Marca: Toshiba

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🧩 Descrição do Produto – Transistor IGBT GT30J121 Toshiba

O GT30J121 da Toshiba é um transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta eficiência e baixa perda de comutação, ideal para aplicações de controle de motores, fontes chaveadas, inversores e conversores de potência.
Com capacidade de 30A e 600V, este componente combina as vantagens do transistor MOSFET e do transistor bipolar, oferecendo rápida comutação, alta corrente e baixa dissipação térmica.

O encapsulamento TO-247 (PTH) garante excelente dissipação de calor e facilidade de montagem em placas de circuito impresso, tornando o GT30J121 uma opção confiável para projetos industriais e eletrônicos de potência.

⚙️ Características Técnicas:

Modelo: GT30J121
Fabricante: Toshiba
Tipo: IGBT N-Channel
Tensão máxima (Vce): 600V
Corrente máxima (Ic): 30A
Encapsulamento: TO-247 (PTH)
Baixa perda de comutação e alta eficiência energética
Aplicações: inversores, drivers, fontes chaveadas, UPS, controles de motores

📘 Datasheet oficial Toshiba:
🔗 Clique aqui para acessar o datasheet (PDF)

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