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Transistor de Potência IGBT Infineon IKP20N60T 600V 20A TO-220 K20T60

Código: 35123 Marca: Infineon Technologies

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O Transistor IGBT IKP20N60T da Infineon Technologies é um dispositivo de alta performance projetado para aplicações que exigem alta eficiência e confiabilidade em comutação de potência. Com capacidade de 600V e 20A, o modelo K20T60 combina as vantagens dos transistores MOSFET com as dos bipolares, oferecendo baixa perda de condução, alta velocidade de chaveamento e excelente resistência térmica.

Este componente é ideal para fontes de alimentação chaveadas (SMPS), drivers de motor, inversores de frequência, circuitos de controle industrial e outras aplicações de eletrônica de potência. O encapsulamento TO-220-3 (PTH) permite fácil dissipação térmica e montagem em placas de circuito impresso.

Características principais:

Tipo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Modelo: IKP20N60T / K20T60
Encapsulamento: TO-220-3 (PTH)
Tensão máxima de coletor-emissor (Vce): 600V
Corrente máxima de coletor (Ic): 20A
Baixa perda de condução e comutação rápida
Fabricante: Infineon Technologies
Ideal para aplicações industriais e automotivas

Ficha Técnica (Datasheet):
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