O Transistor MOSFET 2N7002E-7-F da Diodes Incorporated é um componente eletrônico de canal N, desenvolvido para aplicações de comutação eletrônica e controle de sinais em circuitos compactos. Com tensão máxima entre dreno e fonte de 60 V e corrente de dreno de até 300 mA, é uma opção para projetos eletrônicos que necessitam de controle eficiente de cargas e sinais.
Seu encapsulamento SOT-23-3 SMD, com três terminais, permite a montagem em superfície em placas de circuito impresso (PCB), contribuindo para projetos compactos e processos de montagem automatizada.
Marca: Diodes Incorporated
Código / Part Number: 2N7002E-7-F
Tipo de componente: Transistor MOSFET
Polaridade: Canal N (N-Channel)
Tensão máxima dreno-fonte (VDS): 60 V
Corrente máxima de dreno (ID): 300 mA
Encapsulamento: SOT-23-3
Tipo de montagem: SMD (montagem em superfície)
Número de terminais: 3
O MOSFET 2N7002E-7-F pode ser utilizado em diferentes projetos eletrônicos, conforme os requisitos elétricos do circuito, incluindo:
Circuitos de comutação eletrônica;
Controle de sinais digitais;
Acionamento de pequenas cargas compatíveis com suas especificações;
Circuitos de interface e controle;
Equipamentos eletrônicos e sistemas embarcados;
Projetos que utilizam transistores MOSFET de canal N em montagem SMD.
Encapsulamento compacto SOT-23-3;
Tecnologia de montagem em superfície (SMD);
Operação com tensão dreno-fonte de até 60 V;
Adequado para aplicações de comutação de pequenos sinais e cargas compatíveis;
Identificação facilitada pelo código original 2N7002E-7-F.
Antes de utilizar o componente, consulte o datasheet do fabricante para verificar parâmetros como tensão de acionamento do gate, resistência de condução (RDS(on)), dissipação de potência, pinagem e condições máximas de operação. A corrente efetiva suportada depende das condições térmicas e elétricas da aplicação.
Datasheet: Clique aqui para abrir o link do Datasheet
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