Transistor AO3416A MOSFET N-Channel 20V 6A SOT-23

Código: 11839 Marca:
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🔌 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor MOSFET AO3416A SOT-23 20V 6A SMD, da ST conforme a marca informada, é um MOSFET de canal N desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência. O componente possui tensão VDS de 20 V, corrente contínua de até 6 A e encapsulamento compacto SOT-23, sendo indicado para montagem em superfície (SMD).

O AO3416A utiliza tecnologia de trench, apresentando baixa resistência RDS(on), baixa carga de Gate e capacidade de operação com tensões de Gate reduzidas, características que o tornam adequado para aplicações como Load Switch e PWM.


🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

  • Produto: Transistor MOSFET
  • Part Number: AO3416A
  • Marca informada: ST
  • Tipo: MOSFET Canal N
  • Tensão Dreno-Fonte (VDS): 20 V
  • Corrente de Dreno Contínua (ID): 6 A @ 25 °C
  • Corrente de Dreno: 5 A @ 70 °C
  • Corrente de Dreno Pulsada: 30 A
  • Tensão Gate-Fonte (VGS): ±8 V
  • RDS(on): < 25 mΩ @ VGS = 4,5 V
  • RDS(on): < 33 mΩ @ VGS = 2,5 V
  • RDS(on): < 51 mΩ @ VGS = 1,8 V
  • Dissipação de potência: 1,4 W @ 25 °C
  • Encapsulamento: SOT-23
  • Número de pinos: 3
  • Montagem: SMD / Surface Mount
  • Temperatura de junção: até 150 °C
  • Tecnologia: MOSFET de canal N

Os principais parâmetros são confirmados pela documentação técnica do UMW AO3416A e pela DigiKey.


⚡ DESTAQUES DO PRODUTO

O AO3416A é indicado para aplicações que necessitam de chaveamento eficiente em um componente compacto. Sua baixa resistência de condução contribui para reduzir perdas durante o acionamento.

  • MOSFET Canal N;
  • Tensão máxima de 20 V;
  • Corrente contínua de até 6 A;
  • Baixa resistência RDS(on);
  • Operação com Gate a partir de 1,8 V;
  • Baixa carga de Gate;
  • Encapsulamento compacto SOT-23;
  • Montagem SMD;
  • Indicado para Load Switch;
  • Aplicações em PWM;
  • Adequado para chaveamento e controle de alimentação;
  • Proteção ESD integrada.

📄 DATASHEET

Datasheet técnico – AO3416A:
Datasheet AO3416A – UMW


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