O Transistor MOSFET AP2318GEN da Advanced Power Electronics é um componente eletrônico de canal N, desenvolvido para aplicações de chaveamento de potência e controle de cargas em circuitos eletrônicos. Sua tecnologia MOSFET de enriquecimento permite o acionamento por tensão aplicada ao terminal gate, sendo indicado para projetos que exigem comutação eficiente em baixa tensão.
Com tensão máxima dreno-fonte de 30 V e capacidade de acionamento com tensão de gate a partir de 2,5 V, o AP2318GEN é adequado para aplicações em conversores DC-DC, circuitos de gerenciamento de energia e sistemas de chaveamento eletrônico. Sua baixa resistência de condução contribui para reduzir as perdas durante a operação, respeitando as condições elétricas especificadas pelo fabricante.
O encapsulamento SOT-23 para montagem em superfície (SMD/SMT) permite sua utilização em placas de circuito impresso compactas, sendo uma opção para fabricantes, técnicos e profissionais de manutenção eletrônica.
Produto: Transistor MOSFET de potência
Fabricante: Advanced Power Electronics Corp. (APEC)
Código do componente: AP2318GEN
Marcação no encapsulamento: NM1H
Tipo de canal: N-Channel
Modo de operação: Enriquecimento (Enhancement Mode)
Tensão máxima dreno-fonte (VDS): 30 V
Tensão máxima gate-fonte (VGS): ±16 V
Corrente contínua de dreno: até 500 mA, conforme condições térmicas da versão consultada
Resistência de condução (RDS(on)): até 720 mΩ com VGS de 4 V
Acionamento de gate: compatível com tensão de 2,5 V, conforme condições do datasheet
Dissipação máxima de potência: depende das condições térmicas e da área de cobre da placa
Encapsulamento: SOT-23
Tipo de montagem: SMD/SMT
Chaveamento eletrônico de cargas
Conversores DC-DC
Circuitos de gerenciamento de energia
Controle de alimentação em baixa tensão
Acionamento de cargas em placas eletrônicas
Equipamentos eletrônicos compactos
Sistemas de controle e automação
Projetos de eletrônica embarcada
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