Lista de Desejos

Transistor AP3N10BI MOSFET N-Channel 100V 2.8A SMD

Código: 11833 Marca: A Power Microelectronics

~~R$ 1,50~~ R$ 0,98

Qtde: Comprar Agora Estoque: Disponível

🔌 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor MOSFET AP3N10BI 100V 2.8A SOT-23 SMD, da A Power Microelectronics, é um MOSFET de canal N (N-Channel) e modo de enriquecimento, desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de cargas em circuitos eletrônicos.

O AP3N10BI possui tensão máxima dreno-fonte de 100 V e corrente contínua de dreno de até 2,8 A, oferecendo uma solução compacta para circuitos que necessitam de chaveamento de cargas com controle por tensão no terminal Gate.

O dispositivo apresenta RDS(on) inferior a 320 mΩ com VGS = 10 V, característica que contribui para reduzir as perdas por condução durante a operação. Seu encapsulamento SOT-23 proporciona dimensões compactas e é adequado para montagem SMD/SMT em placas de circuito impresso.

O AP3N10BI é indicado para aplicações como proteção de baterias, Load Switch e fontes de alimentação ininterrupta (UPS), além de circuitos gerais de chaveamento eletrônico.

🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Produto: Transistor MOSFET
Marca: A Power Microelectronics
Part Number: AP3N10BI
Tipo: MOSFET canal N
Modo: Enriquecimento (Enhancement Mode)
Tensão Dreno-Fonte (VDS): 100 V
Corrente de Dreno (ID): 2,8 A
RDS(on): < 320 mΩ
Condição do RDS(on): VGS = 10 V
Tensão Gate-Source (VGS): ±20 V
Corrente de dreno pulsada: 8,8 A
Dissipação de potência: até 2,3 W, conforme condições térmicas especificadas
Temperatura de junção: -55 °C a +150 °C
Encapsulamento: SOT-23
Número de terminais: 3
Montagem: SMD / SMT
Aplicações: Proteção de baterias, Load Switch, UPS, fontes de alimentação e circuitos de chaveamento eletrônico.

🔎 PALAVRAS-CHAVE SEO

AP3N10BI, AP3N10BI SMD, AP3N10BI SOT-23, AP3N10B, AP3N10, transistor AP3N10BI, MOSFET AP3N10BI, MOSFET 100V, MOSFET 2.8A

AP3N10BI AP3N10BI AP3N10BI AP3N10BIAP3N10BI AP3N10BI AP3N10BI AP3N10BI AP3N10BI AP3N10BI AP3N10BI