O MOSFET N-Channel FDB86363-F085 da Onsemi é um transistor de potência de alta eficiência, projetado para aplicações automotivas e industriais que exigem alta corrente e baixa resistência de condução. Com encapsulamento TO-263-3 (D2PAK), este componente oferece excelente desempenho térmico e é qualificado conforme o padrão AEC-Q101, garantindo confiabilidade em ambientes exigentes.
Fabricante: Onsemi
Tipo de Canal: N-Channel
Tensão Máxima Drain-Source (Vds): 80 V
Corrente Máxima Drain (Id): 110 A
Resistência On-Resistance (Rds(on)): 2,4 mΩ
Capacidade de Dissipação de Potência (Pd): 300 W
Temperatura de Operação: -55 °C a +175 °C
Encapsulamento: TO-263-3 (D2PAK)
Qualificação: AEC-Q101 (Automotive)
Tecnologia: PowerTrench®
Aplicações Típicas:
Fontes de alimentação automotivas
Conversores DC-DC
Controle de motores
Sistemas de 48V
Interruptores de carga (Load Switches)
Baixa Resistência de Condução: Reduz perdas de energia e melhora a eficiência do sistema.
Alta Capacidade de Corrente: Suporta até 110 A, adequado para aplicações de alta potência.
Excelente Desempenho Térmico: Dissipação de até 300 W, ideal para ambientes com alta dissipação de calor.
Qualificação Automotiva: Atende aos rigorosos padrões AEC-Q101, garantindo confiabilidade em aplicações automotivas.
Tecnologia PowerTrench®: Oferece alta eficiência e confiabilidade em um pacote compacto.
🔗 Datasheet Oficial – FDB86363-F085 (PDF)
Fonte: Onsemi
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