O FDD6692 é um transistor MOSFET de potência Canal N, desenvolvido pela Fairchild Semiconductor, projetado para aplicações que exigem alta corrente, baixa resistência RDS(on) e excelente eficiência de comutação. Com tensão de dreno-fonte de 30V e corrente contínua de até 54A, este MOSFET é ideal para circuitos de fontes chaveadas, reguladores DC-DC, drivers de motores, inversores, automação industrial e aplicações automotivas.
Seu encapsulamento TO-252-3 (DPAK) no formato SMD permite fácil integração em projetos compactos, além de oferecer boa dissipação térmica e compatibilidade com processos de soldagem automática. O FDD6692 se destaca por sua alta confiabilidade, baixo aquecimento e excelente desempenho em aplicações de comutação rápida.
Amplamente utilizado em projetos profissionais e industriais, este MOSFET é uma escolha segura para quem busca robustez, eficiência energética e estabilidade elétrica, seguindo os padrões de qualidade reconhecidos da Fairchild (ON Semiconductor).
Tipo: MOSFET de Potência
Canal: N-Channel
Tensão Dreno-Fonte (Vds): 30V
Corrente de Dreno (Id): até 54A
Baixa resistência RDS(on)
Encapsulamento: TO-252-3 / DPAK
Montagem: SMD
Alta eficiência e rápida comutação
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