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FQPF19N20C Transistor MOSFET 200V 19A TO220F Isolado Through Hole

Código: 39745 Marca: Fairchild

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O FQPF19N20C é um transistor MOSFET de potência canal N fabricado pela Fairchild (atualmente ON Semiconductor), projetado para aplicações que exigem alta eficiência, confiabilidade e capacidade de chaveamento em alta tensão.

Este componente suporta até 200V de tensão drenador-fonte (Vds) e corrente contínua de até 19A, sendo ideal para fontes chaveadas (SMPS), inversores, drivers de motores, fontes industriais, carregadores e circuitos de potência em geral.

O MOSFET possui encapsulamento TO-220F totalmente isolado (FullPack), que oferece isolamento elétrico entre o dissipador e o transistor, facilitando a montagem em dissipadores de calor sem necessidade de isoladores adicionais, aumentando a segurança e simplificando o projeto térmico.

Graças à baixa resistência RDS(on) e excelente desempenho de comutação, o FQPF19N20C proporciona maior eficiência energética e menor dissipação de calor, sendo amplamente utilizado em equipamentos eletrônicos industriais, automação, fontes de alimentação e projetos eletrônicos profissionais ou hobby.

Principais Características

Modelo: FQPF19N20C
Tipo: Transistor MOSFET Canal N
Tensão Dreno-Fonte (Vds): 200V
Corrente de Dreno (Id): 19A
Encapsulamento: TO-220F (FullPack Isolado)
Montagem: PTH / Through Hole
Baixa resistência RDS(on)
Alta eficiência de chaveamento
Dissipação térmica eficiente
Ideal para fontes chaveadas, inversores, drivers e aplicações de potência

Aplicações Comuns

Fontes chaveadas (SMPS)
Fontes de alimentação industriais
Inversores de tensão
Drivers de motores
Controladores de potência
Carregadores e equipamentos eletrônicos

Datasheet (Ficha Técnica)

Para acessar todas as especificações detalhadas do componente:

Clique aqui para abrir o link do Datasheet

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