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MOSFET SMD G16P03S 30V 16A Canal P – SOIC-8

Código: 37330 Marca: Goford Semicondutor

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Descrição do Produto

O G16P03S Goford Semiconductor é um transistor MOSFET de potência canal P, projetado para aplicações que exigem alta eficiência, comutação rápida e controle confiável de cargas. Opera com tensão máxima de 30V e corrente contínua de até 16A, sendo indicado para circuitos de gerenciamento de energia, chaveamento e proteção eletrônica.

Com encapsulamento SMD SOIC-8, o G16P03S é ideal para projetos compactos e montagem automatizada, oferecendo baixa resistência RDS(on), o que reduz perdas por dissipação de calor e melhora a eficiência do sistema. É amplamente utilizado em fontes chaveadas, conversores DC-DC, controle de motores, carregadores, automação, eletrônica automotiva e projetos industriais.

Graças à sua confiabilidade e características elétricas estáveis, o MOSFET G16P03S é uma excelente escolha para aplicações profissionais, industriais e projetos eletrônicos que demandam desempenho consistente.

Principais Características Técnicas

• Tipo: MOSFET de potência canal P
• Tensão dreno-fonte (VDS): 30V
• Corrente de dreno (ID): até 16A
• Baixa resistência RDS(on)
• Encapsulamento: SMD SOIC-8
• Alta eficiência e comutação rápida
• Adequado para montagem SMD e produção em escala

Aplicações Comuns

• Fontes de alimentação chaveadas
• Conversores DC-DC
• Controle de carga e chaveamento eletrônico
• Automação industrial
• Eletrônica automotiva
• Projetos de eletrônica de potência

Datasheet / Documentação Técnica

Datasheet técnico do G16P03S (referência):
https://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=G16P03S

Descrição curta SEO

MOSFET G16P03S Goford Semiconductor canal P 30V 16A em encapsulamento SMD SOIC-8, com baixa RDS(on), alta eficiência e comutação rápida, ideal para fontes chaveadas, conversores DC-DC, automação, eletrônica automotiva e aplicações de potência.

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