O Transistor MOSFET IPD50P04P4-13 da Infineon Technologies é um MOSFET de potência P-Channel desenvolvido com a tecnologia OptiMOS™ P2, oferecendo excelente eficiência de comutação, baixíssima resistência de condução (RDS(on)), elevada capacidade de corrente e alta eficiência térmica para aplicações automotivas e industriais.
Com tensão máxima Drain-Source (VDS) de -40V, corrente contínua de -50A e encapsulamento TO-252-3 (DPAK) SMD, este componente é ideal para fontes chaveadas, gerenciamento de baterias (BMS), conversores DC-DC, controle de motores, módulos automotivos e sistemas eletrônicos que exigem alta confiabilidade e baixo consumo de energia. A tecnologia OptiMOS™ P2 proporciona menores perdas por condução e chaveamento, contribuindo para maior eficiência energética do circuito.
Além disso, o IPD50P04P4-13 é qualificado para aplicações automotivas (AEC-Q101), suporta temperatura de operação de até 175°C e possui encapsulamento compatível com processos de montagem automática em superfície (SMT), garantindo robustez e excelente desempenho em ambientes exigentes.
Datasheet Oficial – Infineon Technologies IPD50P04P4-13
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