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IRFB9N60A MOSFET Potência 600V 9.2A TO220 Vishay

Código: 42211 Marca: Vishay Semicondutores

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Qtde: Comprar Agora Estoque: Disponível

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O IRFB9N60A da Vishay é um transistor MOSFET de potência canal N, desenvolvido para aplicações que exigem alta tensão, eficiência energética e excelente desempenho em comutação.

Com capacidade de 600V de tensão dreno-fonte (Vds) e corrente de até 9.2A, este MOSFET é ideal para uso em fontes chaveadas (SMPS), inversores, controles de potência e circuitos industriais.

Projetado com tecnologia avançada, o IRFB9N60A oferece baixa resistência de condução (Rds(on)), alta velocidade de chaveamento e ótima performance térmica, contribuindo para redução de perdas e maior eficiência do sistema.

Seu encapsulamento TO-220-3 (PTH - Through Hole) permite fácil montagem com dissipadores, garantindo maior robustez e confiabilidade em aplicações de média e alta potência.

🔧 Especificações Técnicas:

Modelo: IRFB9N60A
Tipo: MOSFET Canal N
Tensão Dreno-Fonte (Vds): 600V
Corrente (Id): 9.2A
Baixa Rds(on)
Alta velocidade de comutação
Encapsulamento: TO-220-3
Montagem: PTH (Through Hole)
Marca: Vishay

⚙️ Principais Benefícios:

Ideal para aplicações de alta tensão
Alta eficiência energética
Excelente dissipação térmica
Alta confiabilidade em uso contínuo
Compatível com diversas aplicações de potência

🔌 Aplicações:

Fontes chaveadas (SMPS)
Inversores de energia
Controle de motores
Conversores DC-DC
Equipamentos industriais

📄 Datasheet (Ficha Técnica):

https://www.vishay.com/docs/91021/irfb9n60a.pdf

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