O Transistor MOSFET ME2301 da VBsemi é um componente SMD de alto desempenho, ideal para aplicações que exigem comutação rápida, baixo consumo e alta eficiência. Trata-se de um MOSFET Canal N, projetado para operar com tensão de até 20V e corrente contínua de até 4A, sendo amplamente utilizado em projetos eletrônicos modernos.
Com encapsulamento SOT-23, o ME2301 é perfeito para circuitos compactos e aplicações SMD, oferecendo excelente dissipação térmica e confiabilidade. É muito empregado em fontes chaveadas, circuitos de proteção, carregadores, drivers de LED, módulos DC-DC, controle de potência e projetos embarcados.
A marca VBsemi é reconhecida por fornecer semicondutores com ótimo custo-benefício, mantendo padrões de qualidade compatíveis com aplicações industriais e comerciais.
Produto novo, original, ideal para reposição, desenvolvimento e produção eletrônica.
Tipo: MOSFET Canal N
Tensão Drain-Source (Vds): 20V
Corrente de Dreno (Id): até 4A
Encapsulamento: SOT-23
Montagem: SMD
Alta eficiência e baixa resistência Rds(on)
Comutação rápida
Fabricante: VBsemi
Fontes chaveadas
Conversores DC-DC
Drivers de LED
Carregadores de bateria
Circuitos de proteção
Equipamentos eletrônicos compactos
Projetos Arduino, ESP e sistemas embarcados
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