O SPA11N60C3 da Infineon Technologies é um transistor MOSFET de canal N de alta eficiência e baixa perda, projetado para aplicações que exigem comutação rápida e alta tensão. Operando com 600V e corrente de até 11A, este dispositivo é ideal para fontes chaveadas (SMPS), fontes de alimentação industriais, drivers de motor, inversores e fontes de energia para equipamentos eletrônicos.
O encapsulamento TO-220F isolado (Fullpack) oferece excelente isolamento térmico e elétrico, eliminando a necessidade de isoladores externos no dissipador de calor, facilitando o design do circuito e aumentando a confiabilidade do sistema.
Graças à tecnologia CoolMOS™ C3 da Infineon, o SPA11N60C3 proporciona baixa resistência RDS(on), baixa capacitância de entrada (Ciss) e alta eficiência energética, tornando-se uma escolha sólida para projetos de alta performance e durabilidade.
Modelo: SPA11N60C3
Tipo: MOSFET Canal N (N-Channel Power MOSFET)
Tensão de Dreno-Fonte (VDS): 600V
Corrente Contínua (ID): 11A
RDS(on): 0.52 Ω (máx)
Encapsulamento: TO-220F (Isolado / Fullpack)
Tecnologia: CoolMOS™ C3 – Baixa Perda e Alta Eficiência
Montagem: PTH (Through-Hole)
Fabricante: Infineon Technologies
Fontes chaveadas (SMPS)
Conversores de energia e inversores
Drivers de motor e sistemas de automação
Carregadores de bateria e fontes industriais
Equipamentos eletrônicos de alta eficiência
🔗 Baixar Datasheet SPA11N60C3 – Infineon Technologies (PDF)
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