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SI2308DS MOSFET Canal N 60V 2A Encapsulamento SOT-23

Código: 36539 Marca: Vishay Semicondutores

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Qtde: Comprar Disponibilidade: Imediata Estoque: 300 unidades

✅ Descrição SEO – SI2308DS Vishay Semiconductors

O SI2308DS da Vishay Semiconductors é um transistor MOSFET canal N, compacto e de alta eficiência, projetado para aplicações que exigem baixo consumo, rápida comutação e excelente desempenho em placas SMD. Com tensão de dreno de 60V, corrente de 2A e encapsulamento SOT-23 (TO-236), é uma solução confiável para circuitos de chaveamento, conversores DC-DC, drivers de carga, controle de motores de baixa potência e reguladores compactos.

Seu design otimizado proporciona baixa resistência RDS(on), garantindo menor dissipação de calor e maior eficiência energética. O SI2308DS é amplamente utilizado por projetos profissionais, reparos eletrônicos, automação, IoT e módulos embarcados que demandam dispositivos robustos e de pequeno porte.

Principais Características

Modelo: SI2308DS
Fabricante: Vishay Semiconductors
Tipo: MOSFET Canal N
Tensão Máxima (Vds): 60V
Corrente Máxima (Id): 2A
Encapsulamento: SOT-23 / TO-236 (SMD)
Baixa RDS(on): maior eficiência térmica e elétrica
Aplicações: conversores DC-DC, chaveamento geral, drivers, controles embarcados, portáteis e IoT
Montagem: SMD (Surface-Mount Device)

Datasheet Oficial

📄 Download:
https://www.vishay.com/docs/70656/si2308ds.pdf

✅ Versão Curta SEO – SI2308DS

MOSFET SI2308DS 60V 2A SOT-23 Vishay, baixo RDS(on), comutação rápida e alta eficiência para conversores DC-DC, chaveamento SMD e aplicações de baixa potência.

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