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Transistor MOSFET SUD23N06-31 60V 23A DPAK TO-252-3 SMT

Código: 8017 Marca: Vishay

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📦 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor MOSFET SUD23N06-31 TO-252-3 (SMD) da Vishay Siliconix é um MOSFET de potência Canal N (N-Channel) desenvolvido para aplicações de chaveamento de alta eficiência, conversão de potência e gerenciamento de energia. Com tensão máxima dreno-fonte (VDS) de 60V, corrente contínua de dreno de até 23A e baixa resistência de condução RDS(on) de apenas 31mΩ (máx.), este dispositivo proporciona excelente desempenho, reduzindo perdas por condução e aumentando a eficiência dos circuitos.

Fabricado com a tecnologia TrenchFET® da Vishay, o SUD23N06-31 oferece alta velocidade de comutação, excelente capacidade de corrente e ótimo desempenho térmico. Seu encapsulamento TO-252-3 (DPAK / SMD) facilita a dissipação de calor e a montagem automatizada em placas de circuito impresso (PCB), sendo ideal para aplicações industriais e eletrônicas de potência.

O componente é amplamente utilizado em fontes chaveadas (SMPS), conversores DC-DC, controle de motores, carregadores de bateria, UPS (nobreaks), gerenciamento de energia, inversores, automação industrial e diversos equipamentos eletrônicos que exigem chaveamento eficiente.

⚙️ CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Fabricante: Vishay Siliconix
Modelo: SUD23N06-31
Tipo: Transistor MOSFET de Potência
Canal: N (N-Channel)
Tecnologia: TrenchFET®
Tensão Dreno-Fonte (VDS): 60V
Corrente Contínua de Dreno (ID): Até 23A
Resistência RDS(on): 31mΩ (máx.)
Alta velocidade de chaveamento
Baixas perdas de condução
Excelente desempenho térmico
Encapsulamento: TO-252-3 (DPAK)
Montagem: SMD / SMT
Compatível com RoHS

🔧 PRINCIPAIS APLICAÇÕES

Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
Conversores DC-DC
Controle de motores DC
Inversores de potência
Carregadores de bateria
Nobreaks (UPS)
Gerenciamento de energia
Automação industrial
Equipamentos eletrônicos de potência
Projetos eletrônicos em geral

✅ PRINCIPAIS BENEFÍCIOS

MOSFET Canal N de alta eficiência
Tensão máxima de 60V
Corrente contínua de até 23A
Baixa resistência RDS(on) de 31mΩ
Tecnologia TrenchFET® para maior desempenho
Alta velocidade de chaveamento
Excelente dissipação térmica
Encapsulamento compacto TO-252-3 (DPAK)
Produto original Vishay Siliconix

📦 CONTEÚDO DA EMBALAGEM

01 × Transistor MOSFET SUD23N06-31 TO-252-3 (SMD) – Vishay Siliconix

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