O Transistor IGBT IXGF25N250 da IXYS é um IGBT de potência do tipo NPT (Non-Punch-Through), desenvolvido para aplicações de alta tensão e potência, especialmente em circuitos de chaveamento, descarga capacitiva e conversão de energia.
O componente possui tensão coletor-emissor máxima de 2500 V e corrente contínua de coletor de até 30 A a 25 °C, oferecendo alta capacidade de bloqueio de tensão e condução de corrente. Sua estrutura NPT proporciona robustez para aplicações de potência e chaveamento.
O IXGF25N250 apresenta capacidade de corrente de pulso de até 200 A, potência máxima de dissipação de 114 W e carga de gate de aproximadamente 75 nC. O dispositivo também possui baixa tensão de saturação, com VCE(sat) especificado em aproximadamente 2,9 V nas condições indicadas pelo fabricante.
Com tecnologia ISOPLUS e encapsulamento i4-PAC, o componente possui aba eletricamente isolada, contribuindo para uma montagem de potência mais segura e facilitando o gerenciamento térmico. É indicado para projetos que necessitam de IGBT de alta tensão e elevada capacidade de corrente.
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