O Circuito Integrado HM3-2064-5 MHS é uma memória SRAM (Static Random Access Memory) CMOS de alta velocidade, desenvolvida para aplicações em sistemas digitais, equipamentos eletrônicos, automação e projetos embarcados. Este componente oferece excelente desempenho, baixo consumo de energia e alta confiabilidade em armazenamento temporário de dados.
Com encapsulamento DIP-28 PTH (Through Hole), o HM3-2064-5 é ideal para manutenção eletrônica, reposição de componentes e desenvolvimento de projetos eletrônicos profissionais e educacionais.
A tecnologia SRAM permite acesso rápido aos dados sem necessidade de ciclos de refresh, sendo amplamente utilizada em equipamentos industriais, sistemas computacionais e circuitos digitais de alta velocidade.
✔ Modelo: HM3-2064-5
✔ Marca: MHS
✔ Tipo: Memória SRAM CMOS
✔ Encapsulamento: DIP-28 / PTH
✔ Montagem: Through Hole (Furo Passante)
✔ Memória estática de alta velocidade
✔ Baixo consumo de energia
✔ Tecnologia CMOS
✔ Alta confiabilidade operacional
✔ Excelente desempenho em sistemas digitais
✅ Sistemas digitais
✅ Equipamentos eletrônicos
✅ Automação industrial
✅ Computadores e sistemas embarcados
✅ Projetos eletrônicos
✅ Instrumentação eletrônica
✅ Manutenção e reposição de placas
📌 1x Circuito Integrado HM3-2064-5 DIP-28 MHS
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