Samsung K4T51163QJ-BCF7 – IC DDR2 1Gb SDRAM BGA-84

🧩 Circuito Integrado Samsung K4T51163QJ-BCF7 – Memória DDR2 SDRAM 1Gb BGA-84 SMD

O Samsung K4T51163QJ-BCF7 é um circuito integrado de memória DDR2 SDRAM de 1 Gigabit (128Mx8 bits), projetado para alto desempenho e baixo consumo de energia. Ideal para aplicações em notebooks, sistemas embarcados, placas-mãe, módulos de memória e dispositivos eletrônicos industriais, este componente oferece estabilidade e velocidade em transferências de dados de até 667 Mbps.

Fabricado pela Samsung, referência global em semicondutores, o K4T51163QJ-BCF7 utiliza encapsulamento BGA-84 (Ball Grid Array) no padrão SMD (Surface Mount Device), garantindo excelente dissipação térmica, confiabilidade e fácil integração em processos automatizados de soldagem.

⚙️ Especificações Técnicas

• Fabricante: Samsung Semiconductor

• Código do fabricante: K4T51163QJ-BCF7

• Tipo: DDR2 SDRAM

• Capacidade: 1Gb (128M x 8)

• Tensão de operação: 1.8V

• Velocidade: 667 Mbps / 333 MHz (DDR2-667)

• Encapsulamento: BGA-84

• Montagem: SMD (montagem superficial)

• Temperatura de operação: -40°C a +85°C (industrial)

• Aplicações: Computadores, notebooks, dispositivos embarcados, placas eletrônicas

💡 Destaques

✅ Alta confiabilidade e durabilidade
✅ Compatível com ampla gama de controladores DDR2
✅ Baixo consumo de energia
✅ Ideal para substituição ou reparo de módulos de memória DDR2

📎 Datasheet (folha de dados técnica)

🔗 Baixar Datasheet Samsung K4T51163QJ-BCF7 (PDF)

🛒 Palavras-chave SEO sugeridas

memória ddr2 samsung, circuito integrado samsung k4t51163qj, ic dram ddr2 bga84, k4t51163qj-bcf7 samsung, chip memória 1gb ddr2, samsung semiconductors, memória ddr2 smd, ic ddr2 1gb 1.8v

K4T51163QJ BCF7 - K4T51163 - 4T51163 - K4T51163QJ-BCF7, K 4T51163QJ-BCF7, K4 T51163QJ-BCF7, K4T 51163QJ-BCF7, K4T5 1163QJ-BCF7, K4T51 163QJ-BCF7, K4T511 63QJ-BCF7, K4T5116 3QJ-BCF7, K4T51163 QJ-BCF7, K4T51163Q J-BCF7, K4T51163QJ -BCF7, K4T51163QJ- BCF7, K4T51163QJ-B CF7, K4T51163QJ-BC F7, K4T51163QJ-BCF 7