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Circuito Integrado K9F1G08U0E SIB0 NAND 1Gb TSOP-48

Código: 2358 Marca: Samsung

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📦 Circuito Integrado K9F1G08U0E-SIB0 NAND Flash 1Gb SMD TSOP-48 | Samsung

O Circuito Integrado K9F1G08U0E-SIB0 da Samsung é uma memória NAND Flash de 1Gb (128MB) de alta confiabilidade, desenvolvida para armazenamento de dados em sistemas embarcados e dispositivos eletrônicos. Com encapsulamento TSOP-48 SMD, oferece excelente desempenho, alta densidade e baixo consumo de energia.

Amplamente utilizado em equipamentos industriais, automotivos, eletrônicos de consumo e sistemas embarcados, este CI é ideal para aplicações que exigem armazenamento não volátil eficiente e robusto.

⚙️ Especificações Técnicas

Modelo: K9F1G08U0E-SIB0
Marca: Samsung
Tipo: Memória NAND Flash
Capacidade: 1Gb (Gigabit) – 128MB (Megabytes)
Organização: x8 bits
Encapsulamento: TSOP-48
Montagem: SMD (Surface Mount)
Tensão de operação: 2.7V a 3.6V
Alta velocidade de leitura e gravação
Memória não volátil (mantém dados sem energia)

🔧 Aplicações

Sistemas embarcados
Armazenamento de firmware
Equipamentos industriais
Eletrônicos de consumo
Automação e controle
Dispositivos IoT

⭐ Benefícios

✔ Alta densidade de armazenamento (1Gb)
✔ Memória não volátil confiável
✔ Baixo consumo de energia
✔ Encapsulamento compacto TSOP-48
✔ Qualidade e desempenho Samsung

📄 Datasheet (Oficial Samsung)

Para especificações completas, pinagem, timing e aplicação, acesse o datasheet oficial:

🔗 https://www.alldatasheet.com/html-pdf/1132292/SAMSUNG/K9F1G08U0D/1401/4/K9F1G08U0D.html

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