Transistor NTD2955T4G MOSFET de Potência Canal P TO-252 60V 12A

Código: 9628 Marca:
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📦 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O NTD2955T4G TO-252-4 (SMD) da onsemi é um transistor MOSFET de potência Canal P (P-Channel Power MOSFET), desenvolvido para aplicações de chaveamento de cargas, gerenciamento de energia e conversão de potência. Com tensão máxima dreno-fonte (VDS) de -60V e corrente contínua de dreno de até -12A, este componente oferece baixa resistência de condução (RDS(on)), alta eficiência e excelente desempenho térmico.

O NTD2955T4G é ideal para aplicações em fontes chaveadas (SMPS), conversores DC-DC, gerenciamento de baterias, proteção contra inversão de polaridade, chaveamento de alimentação e controle de cargas. Sua tecnologia MOSFET proporciona rápidas velocidades de comutação, reduzindo perdas de potência e aumentando a eficiência dos circuitos eletrônicos.

Seu encapsulamento TO-252 (DPAK) SMD permite excelente dissipação térmica e montagem automatizada em placas de circuito impresso, sendo amplamente utilizado em equipamentos industriais, automotivos, telecomunicações, sistemas embarcados e eletrônica de potência.

Fabricado pela onsemi, referência mundial em semicondutores de potência, o NTD2955T4G oferece alta confiabilidade, robustez e longa vida útil.


🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

  • Marca: onsemi
  • Modelo: NTD2955T4G
  • Tipo: Transistor MOSFET de Potência
  • Canal: P (P-Channel)
  • Tecnologia: Power MOSFET
  • Tensão dreno-fonte (VDS): -60V
  • Corrente contínua de dreno (ID): -12A
  • Baixa resistência de condução (Low RDS(on))
  • Alta velocidade de chaveamento
  • Excelente eficiência energética
  • Ótimo desempenho térmico
  • Encapsulamento: TO-252 (DPAK)
  • Montagem: SMD (Surface Mount Device)

✅ APLICAÇÕES

  • Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
  • Conversores DC-DC
  • Gerenciamento de energia
  • Gerenciamento de baterias
  • Proteção contra inversão de polaridade
  • Chaveamento de cargas
  • Equipamentos industriais
  • Sistemas automotivos
  • Sistemas embarcados
  • Projetos de eletrônica de potência

⭐ BENEFÍCIOS

  • MOSFET Canal P de alta eficiência
  • Tensão de operação de até -60V
  • Corrente de dreno de até -12A
  • Baixa resistência RDS(on) para menores perdas
  • Alta velocidade de chaveamento
  • Excelente dissipação térmica
  • Encapsulamento DPAK compacto para montagem SMD
  • Produto original onsemi

🔍 PALAVRAS-CHAVE (SEO)

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