O Transistor MOSFET TK8S06K3L(T6L1,NQ) da Toshiba é um MOSFET de potência de canal N, desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência em circuitos eletrônicos. O dispositivo utiliza tecnologia U-MOSIV, oferecendo baixa resistência de condução e características adequadas para aplicações que exigem eficiência no chaveamento.
O TK8S06K3L possui tensão máxima Drain-Source de 60 V e capacidade de corrente contínua de até 8 A, sendo indicado para circuitos de alimentação, conversores DC-DC, reguladores chaveados, acionamentos de motores e outras aplicações de potência.
O componente apresenta RDS(on) típico de 43 mΩ com VGS de 10 V, contribuindo para a redução das perdas por condução. O dispositivo também possui tensão máxima Gate-Source de ±20 V e temperatura máxima de junção de 175 °C.
O modelo TK8S06K3L(T6L1,NQ) possui encapsulamento DPAK+ / TO-252, adequado para montagem SMD/SMT em placas de circuito impresso e aplicações que necessitam de boa dissipação térmica.
A documentação da Toshiba indica aplicações em acionamento de motores, conversores DC-DC e reguladores chaveados.
Datasheet oficial – TK8S06K3L | Toshiba:
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