Circuito Integrado SI1869DH-T1-E3 SOT-363-6 (SMD)

Código: 9572 Marca:
R$ 33,00 R$ 21,45
Comprar Agora Estoque: Disponível
* Este prazo de entrega está considerando a disponibilidade do produto + prazo de entrega.

📦 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Circuito Integrado SI1869DH-T1-E3 SOT-363-6 (SMD) da Vishay Siliconix é um MOSFET duplo complementar que integra um MOSFET Canal N e um MOSFET Canal P em um único encapsulamento ultracompacto SOT-363-6 (SC-70-6). Desenvolvido para aplicações de gerenciamento de energia, chaveamento de cargas e conversores DC-DC, este componente oferece alta eficiência, baixa resistência de condução (RDS(on)) e excelente desempenho em circuitos de baixa tensão.

O SI1869DH-T1-E3 é ideal para equipamentos portáteis, dispositivos alimentados por bateria, notebooks, smartphones, módulos embarcados, circuitos de proteção e fontes chaveadas. Sua configuração complementar permite simplificar o projeto eletrônico, reduzindo o número de componentes e economizando espaço na placa de circuito impresso.

Graças ao encapsulamento SOT-363-6 (SMD), o dispositivo possibilita montagem automatizada e alta densidade de componentes, sendo amplamente utilizado em produtos eletrônicos compactos. Fabricado pela Vishay Siliconix, referência mundial em semicondutores de potência, o SI1869DH-T1-E3 oferece elevada confiabilidade, excelente desempenho e longa vida útil.


🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

  • Marca: Vishay Siliconix
  • Modelo: SI1869DH-T1-E3
  • Tipo: MOSFET Duplo Complementar
  • Configuração: 1 MOSFET Canal N + 1 MOSFET Canal P
  • Baixa resistência de condução (Low RDS(on))
  • Alta velocidade de chaveamento
  • Baixa tensão de acionamento (Logic Level)
  • Baixo consumo de energia
  • Alta eficiência para gerenciamento de energia
  • Encapsulamento: SOT-363-6 (SC-70-6)
  • Montagem: SMD (Surface Mount Device)

✅ APLICAÇÕES

  • Gerenciamento de energia
  • Conversores DC-DC
  • Chaveamento de cargas
  • Proteção de baterias
  • Equipamentos portáteis
  • Smartphones e tablets
  • Notebooks
  • Sistemas embarcados
  • Fontes chaveadas
  • Projetos eletrônicos de baixo consumo

⭐ BENEFÍCIOS

  • MOSFET Canal N e Canal P no mesmo encapsulamento
  • Baixa resistência RDS(on) para maior eficiência
  • Alta velocidade de comutação
  • Ideal para equipamentos compactos
  • Redução do número de componentes na placa
  • Baixo consumo de energia
  • Alta confiabilidade e longa vida útil
  • Produto original Vishay Siliconix

🔍 PALAVRAS-CHAVE (SEO)

SI1869DH-T1-E3, SI1869DH, Circuito Integrado SI1869DH-T1-E3, MOSFET Duplo, MOSFET Complementar, Dual MOSFET

SI1869DH-T1-E3  SI1869DH-T1-E3 SI1869DH-T1-E3 SI1869DH-T1-E3 SI1869DH-T1-E3 SI1869DH-T1-E3 SI1869DH-T1-E3

 

R$ 33,00 R$ 21,45
Comprar Agora Estoque: Disponível
Pague com
  • Pix
  • proxy-mercadopago-v1
Selos
  • Site Seguro

FIND COMP ELETRONICS BRAZIL - CNPJ: 39.519.183/0001-91 © Todos os direitos reservados. 2026