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Transistor TP0610K-T1-GE3 Vishay Siliconix – MOSFET P-Channel

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Código: 16326 Marca: Vishay

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Transistor MOSFET TP0610K-T1-GE3 – Canal P SOT-23 SMD – Vishay

O TP0610K-T1-GE3 da Vishay Siliconix é um transistor MOSFET de canal P da série TrenchFET®, desenvolvido para aplicações de chaveamento eletrônico e controle de cargas. Com tensão dreno-fonte de até 60 V e corrente contínua de dreno de até 185 mA, o componente é indicado para circuitos que necessitam de comutação eficiente em projetos eletrônicos compactos.

O dispositivo apresenta baixa resistência de condução, de até 6 Ω sob as condições especificadas pelo fabricante, além de velocidade de chaveamento típica de 20 ns. Seu encapsulamento SOT-23 de três terminais permite montagem em superfície (SMD), otimizando o espaço ocupado na placa eletrônica.

O TP0610K-T1-GE3 pode ser utilizado em circuitos de acionamento de relés, solenoides, lâmpadas, conversores de alimentação, sistemas alimentados por bateria e relés de estado sólido.

📋 ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS

Produto: Transistor MOSFET
Fabricante: Vishay Siliconix
Código do componente: TP0610K-T1-GE3
Tecnologia: TrenchFET®
Tipo de canal: P-Channel (canal P)
Tensão dreno-fonte (VDS): -60 V
Corrente contínua de dreno (ID): -185 mA
Resistência de condução (RDS(on)): 6 Ω a VGS = -10 V
Tensão máxima gate-source (VGS): ±20 V
Velocidade de chaveamento típica: 20 ns
Dissipação máxima de potência: 350 mW
Número de terminais: 3
Encapsulamento: SOT-23-3
Tipo de montagem: SMD/SMT
Temperatura de operação da junção: -55 °C a +150 °C

⚙️ APLICAÇÕES

Acionamento de relés e solenoides
Chaveamento de cargas eletrônicas
Conversores de alimentação
Circuitos de controle de lâmpadas e displays
Sistemas eletrônicos alimentados por bateria
Relés de estado sólido
Circuitos de controle e gerenciamento de energia

📄 DATASHEET

Datasheet oficial TP0610K – Vishay Siliconix (PDF)

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