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SI2307CDS-T1-GE3 MOSFET Canal P 30V 3.5A Encapsulamento SOT-23 SMD

Código: 28147 Marca: Vishay Semicondutores

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🔌 Transistor MOSFET SI2307CDS-T1-GE3 Canal P 30V 3.5A SOT-23-3 SMD

O SI2307CDS-T1-GE3 da Vishay Semiconductors é um MOSFET de canal P (P-Channel) de alta eficiência, projetado para aplicações de chaveamento em baixa tensão. Com capacidade de 30V e corrente de até 3.5A, oferece baixo RDS(on), reduzindo perdas de energia e aquecimento do circuito.

Seu encapsulamento SOT-23-3 SMD garante tamanho compacto, sendo ideal para projetos eletrônicos modernos que exigem miniaturização e alta confiabilidade.

⚙️ Principais Características Técnicas

Tipo: MOSFET Canal P (P-Channel)
Tensão Dreno-Source (Vds): 30V
Corrente de Dreno (Id): 3.5A
Baixa resistência RDS(on) (alta eficiência energética)
Encapsulamento: SOT-23-3 (SMD)
Alta velocidade de comutação
Baixo consumo e menor dissipação térmica
Compatível com circuitos de baixa tensão

🚀 Aplicações Comuns

Fontes chaveadas (SMPS)
Circuitos de proteção de bateria (BMS)
Conversores DC-DC
Gerenciamento de energia (Power Management)
Dispositivos portáteis
Automação e controle eletrônico

💡 Vantagens do SI2307CDS-T1-GE3

✔ Alta eficiência com baixo aquecimento
✔ Ideal para projetos compactos SMD
✔ Excelente desempenho em baixa tensão
✔ Confiabilidade da Vishay
✔ Ótimo custo-benefício para produção e manutenção

📦 Informações Adicionais

Código: SI2307CDS-T1-GE3
Marca: Vishay Semiconductors
Categoria: Transistores / MOSFETs
Montagem: SMD (Surface Mount Device)
Encapsulamento: SOT-23-3

📄 Datasheet (Ficha Técnica)

Para especificações completas, curvas e características detalhadas, acesse o datasheet oficial:
🔗 https://www.lcsc.com/datasheet/C141561.pdf

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